双排针连接器制造商排名连接器从业者必看！互联化趋势下，汽车连接器三大厂商都在干什么（强烈推荐）|FPC连接器|上海羊羽卓进出口贸易有限公司

连接器从业者必看！互联化趋势下，汽车连接器三大厂商都在干什么（强烈推荐）

随着新能源汽车的持续走俏，新技术对传统汽车行业的冲击正在加速汽车业的变革。现在汽车已经不仅仅是一辆交通工具，人们对汽车在安全性、环保性、舒适性、智慧化等要求越来越高，这将给连接器带来全新的发展机遇。

一般汽车需要用到的连接器有近百种，单一车型所使用的连接器约有数百个。克莱门森大学的车辆电子实验室曾列出 54个在典型的现代汽车中处于基于计算机的电子控制下的功能项。

其中包括一系列明显用于电子控制的项目，例如气囊展开、刹车防抱死、发动机控制以及娱乐和导航系统等，另外还有许多让人为之惊叹的功能。

“保守估计，如果这54个项目中的每一项平均都需要10个连接器，那么一辆汽车可能使用多达540个连接器。” Molex 中国销售总监Clark Chou在接受采访时说。

从全球市场来看，目前汽车连接器约占整个连接器产业10%以上。“随著市场对汽车 ‘智能互联’、‘绿色环保’ 、‘安全出行’ 这三大趋势需求的提升，汽车电子产品的应用也将日益增加，这将促进汽车连接器的应用数量进一步增长，未来可望占更大比重。” TE汽车事业部的项目经理如是说。

应时而动，各大连接器厂商多产品线齐飞

无疑，汽车市场是一个庞大的市场。针对汽车市场，各大连接器厂家皆有所布局，并推出了一系列解决方案。

“数据表明，至2020年, 全球预计会有2.5亿辆的互联汽车出现，而TE在每辆车上的产品数量也将以每年4-6％的速度增长。”TE汽车事业部的项目经理表示，目前中国市场以每年两位数的增长成为全球最重要的战略市场之一。

随着新能源汽车和互联汽车的发展，TE汽车事业部将不断丰富产品组合，助力中国汽车产业的变革。

TE Connectivity

据介绍，TE汽车事业部主要拥有的几大产品条线包括新能源汽车解决方案、车载信息娱乐系统解决方案、传感器解决方案、端子和连接器，以及汽车特殊线组的应用开发。

由于新能源汽车车内电压电流的升级，高电压电流环境对于各部件的性能要求更为苛刻。安全、可靠、高效的配电及传导成为新能源汽车整车安全的核心和关键。

因此，TE为新能源汽车高压电路的连接、保护和管理提供了全套的解决方案。

在车载信息娱乐系统解决方案方面，TE除了提供MATEnet模块化连接器，用于车载以太网的新型模块化和可扩展连接器，还提供HSD、HSL高速数据传输系列等产品，能为客户提供完整的连接解决方案，满足车与人、车与物、车与车之间的高速、稳定互联需求。

当然，作为汽车传感器（压力、位移、角度、速度、电流、温湿度等）的制造专家，TE亦能为汽车复杂多变的应用环境提供有针对性的传感器解决方案。

另外，TE还可为客户量身定制应用于汽车发动机系统、安全系统、车身及底盘等系统的端子及连接器，并不断致力于产品的小型化和轻量化，为更安全、更智能、更环保的汽车提供更多具有创新力的产品。

比如： TE的NanoMQS 产品系列有助于减小电子元件的 PCB 尺寸，将线径减小至 0.13mm2，并减小连接器总体封装尺寸。同时，NanoMQS 还可提供非常优秀的抗振性。TE 的 LITEALUM铝线压接技术可为客户提供一个无缝连接、稳定安全的解决方案。

此外，TE还致力于汽车特殊线组的应用开发，利用独特的端子压接技术和连接器优势为客户提供线组总成的解决方案。

ODU

欧度是一家总部位于德国，拥有70多年历史的连接器方案供应商。在汽车领域，其已有诸多成功应用案例。

欧度连接器广泛应用于各类尖端科技领域，包括医疗器械，军事安全，汽车，高端仪器仪表，测试测量，能源等行业。“其中汽车业务在欧度连接器业务中的比重在10%以上。”

（欧度(上海)国际贸易有限公司总经理龚海晏）

龚海晏举例说，例如，用于新能源汽车充电桩和充电座的单芯针孔；用于连接电池包，电控单元，电机的高可靠性，极地接触阻抗，优异电磁屏蔽特性的全新GEN2大电流连接器；用于各类汽车零部件测试的ODU-MAC连接器方案。

同时，欧度还拥有丰富的连接器定制方案设计和研发、制造经验，可为客户的特殊应用需求提供专业的解决方案。

Molex

Molex亦为汽车行业提供范围广泛的连接解决方案，其客户主要来自于汽车制造商以及汽车部门中相应的电子系统及设备的 OEM 供应商。

在Clark Chou看来，车载信息娱乐系统和安全配置的迅猛增长是汽车制造商需求的催化剂，不过，他们需要尺寸更小的互连系统，以便在相同的空间中放置更多的电子元件。

据Clark Chou介绍，Molex 的 Mini50™ 密封和非密封线对板插座可供设备制造商使用尺寸更小的插针、端子和电线，将电路封装到更小的空间内，同时还可降低成本。“在采用了密封或非密封 Mini50 单排和双排插座后，与传统的 USCAR 0.64 毫米连接器相比，Mini50 连接系统产品线可以节省多达 50% 的空间。”

（Molex 中国销售总监 Clark Chou）

为了满足当今汽车对电子设备不断增长的要求，Molex 还开发出了 Stac64™ 这种模块化的 0.64、1.50 和 2.80 毫米端子接头系统。Stac64 连接系统为 OEM 和设备制造商提供了更高的设计灵活性，从而支持低电平信号要求以及高达 30.0 安的电源应用。

Stac64 系统可供汽车制造商将接头组件作为独立的元件，能够将多个接头组合到一起使用，满足设备和模块对信号和电源提出的一系列要求。

此外，stAK50h™ 信息娱乐连接器系统还为 Stac64 系统做出良好的补充。这一系统提供的解决方案通过一个 stAK50h 连接器接口即可同时处理信号与以太网连接，无需再使用两套独立的连接系统。

“在 OEM 坚持使用行业认可的 0.50 毫米及 1.20 毫米端子互连系统的同时，这一解决方案使 stAK50h™ 信息娱乐连接系统成为了一种终极的互连解决方案。” Clark Chou说。

实际上，Molex 的汽车行业解决方案的范例还包括 CMC 连接系统，用于各种动力总成应用，包括发动机控制单元 (ECU)、车厢应用、齿轮箱、电子驻车制动和悬挂控制器；以及 MX150™ 密封连接器系统，为发动机上的汽车应用支持低电平信号以及电源应用。

新能源汽车电气化明显，连接器需更高要求

不过，对于电动车来说，无论是混合动力车还是全电动车，都需要高电压/大电流 (HVHC) 的电气系统，从而保证商用车在当今常见的最极端条件下也可保持可靠的性能，因为在这类环境下电气配件和元件常常会受到冲击和振动，以及面临着种种侵蚀性、腐蚀性的化学品。

欧度(上海)国际贸易有限公司总经理龚海晏表示，随着车载电子辅助设备的高速发展以及新能源汽车产业的政策支持和快速发展的背景下，汽车的电气化特性愈发明显，对于车用连接器将会提出更高的需求。例如，高可靠性，更大功率的传输，连接器的电磁屏蔽性要能满足诸多电子设备不会出现干扰的情况。

为了满足电动车的各种需求，Molex现在提供加固的 Imperium 高电压/大电流 (HVHC) 连接器系统。Clark Chou解释称，这是一种高电压和电流的解决方案，可理想用于混合式电动技术及全电技术。

连接器在每个触点上能够承受 1000 伏的电压以及 250.0 安的电流，为车辆的 OEM 和电气化系统的架构师提供出色的屏蔽性能与电流密度。多种配置正在开发当中，现提供 8.00 和 11.00 毫米直径的版本，可满足客户特定应用的需求。

无疑，混合动力以及全电动商用车可以显著的降低排放以及耗油量，对环境产生极为积极的影响。“这其中先进的电气化技术发挥着关键性的作用，而在采用了 Imperium 连接器系统后，Molex 提供了一种可以在极端恶劣的条件下可靠而又安全的输送功率产品。”

Clark Chou表示，Imperium 品牌的 HVHC 系统采用了集成的 MX150 高电压互锁回路 (HVIL) 压线端子，有助于在断开过程中防止产生高压电弧放电，并且还可以确保操作人员的安全。

这种闭路的 360 度屏蔽设计采用了接地片，可以减轻电磁干扰及射频干扰，提高车载通信的可靠性，同时接头的端面屏蔽功能还为设备制造商简化接地流程。

另外，一体式触点（插头和插座处）可降低电阻，进而降低功率损耗，而保护性的绝缘插头和插座触点帽则可满足免触摸的行业安全性要求。连接器还符合 IP6K9K 等级标准，插入后在恶劣环境下保护免受流体影响。

龚海晏表示，欧度自成立之初，一直深耕于连接器行业，拥有极其丰富的连接器设计经验和尖端的连接器仿真，测试方法和设备。同时欧度一直贴近客户，不断聆听客户需求并以自身丰富的连接器专业知识以提供各种出色解决方案。

在TE汽车事业部的项目经理看来，无论是来自电动、氢动力、混合动力和天然气动力汽车快速变化的动力需求，还是日趋严格的政府法规要求，全球市场的竞争，以及对各种动力的汽车越来越高的安全要求，使得以客户为导向、快速发展的汽车行业在诸多方面都承受着巨大的挑战。

包括整车层面的挑战，如安全隐患，电池续航里程短，系统架构可靠性不足，高成本和充电难等；零部件层面的挑战，如高压架构，电池包的连接和保护，电机电控等。这其中，又以高压系统架构和电池包的可靠性为最主要的挑战。

应对这一系列挑战，TE汽车事业部的项目经理表示，TE可提供用于混合动力和电动汽车的整套连接器、端子、传感器、电缆组件、继电器、接触器和电池连接保护元件。

据介绍，TE的创新型电池到电池模块到汽车解决方案正在应对混合动力汽车和电动汽车提出的巨大挑战。凭借对新技术的不懈研究、与客户共同完成的工程设计，TE正在悄然改善新能源汽车的功率重量比、电池续航时间以及总航程。

TE汽车事业部的项目经理举例称，比如，TE能够提供丰富的动力系统产品，以应用于当前最新的系统之中。其中包括硬连线配电系统、模块部件、发动机和电动机传感器，以及变速器传感器、底盘传感器和压力传感器。

TE还为12V、24V和48V电源系统提供的高性能ISO插拔式继电器，以及用在TE与安德雷蒂科技合作的电动方程式试验车上的F4插拔式继电器。此外，TE应用工具采用经CE认证的M2000MC熔断器和继电器自动插入机，为汽车行业的大批量生产提供了高质量的解决方案。

再如，与标准的 12V / 24V 电力网相比，应对由于机动车辆采用电动动力系统而产生的高电压与电开关器件有着完全不同的要求。对于将动力电池与逆变器连接和断开的主接触器，这些要求不仅包括处理非常高的连续电流，而且包括高过电流的安全中断。

一旦电池发生短路，这些接触器必须能够承载数千安培的电流，直至主保险丝中断短路。因此，与先前的设计相比，短路耐受能力可提高到 6kA。当该幅度的电流通过一对闭合的开关端子时，形成的洛伦兹力产生端子一个悬浮力，将端子推开。

该悬浮力的增加与电流的平方成正比。在 1kA 时，悬浮力已达到约 1N。如果电流足够高，接触弹簧力被克服，端子将分开，立即形成大电弧。因此，当重新闭合时，端子会熔接，或者，接触器可能由于在触点腔室内形成过大的压力而断裂。由于 6kA 的更高悬浮极限和触点腔室的非密封设计，EVC 250 接触器大大降低了这种故障模式的风险。

互联汽车时代来临,高性能连接器传感器成必需

从2017年开始，汽车已经进入互联车辆时代。车载网络技术已经成为、并且今后将日益成为那些重视互联驾驶体验的领先汽车制造商与消费者的最关注的方面。

当前已发货的车辆中仅有约五分之一配备了连接功能。根据 TrendForce 市场研究机构的研究结果，截至 2020 年，75% 的汽车将连接到互联网。

另据思迈汽车信息咨询公司预计，到2020年，全球互联网汽车销量将翻六番。 Gartner数据显示，届时投入使用的互联汽车将达到2.5亿辆。

“到那时，如果互联汽车未来能达到我们所预期的多功能性和稳定性，配备与内外设施进行资源共享的网络连接能力和数据传感能力，整车厂就必须开发高性能的连接器和传感器，从而确保互联汽车的连接性，这一点在当前汽车内外信息交换量越来越大的情况下尤为重要。”

TE汽车事业部的项目经理称，在汽车内部，各种传感器能为如何以及何时控制车辆操控提供反馈信息。在汽车外部，通过对信息的采集和传递来帮助汽车定位，监测车辆速度、油量，进行故障诊断以及许多其他功能。

Clark Chou也表示，对于汽车来说，一个总趋势就是传感器在车辆设计中的使用日益增加，这进一步推动了电子元件密度的增长，并且提高了对连接解决方案的需求。

克莱门森大学的车辆电子实验室发现，现在至少有 25 种传感器正在进入到汽车电子系统当中。而对于微型化电子元件领域来说，一个主要的趋势就是使用印刷型传感器。

当前，TE和Molex皆有推出了一系列传感器，只不过，二者的侧重有所不同。Molex 侧重在微型化、高柔性的传感器方案。

Molex Soligie® 产品线的印刷型传感器在塑料、纸质和金属箔之类的柔性基板上制作组件和互连系统时具有充分的优势。在这一基础上，Molex 的制造工艺可以实现小尺寸、高柔性的集成传感器解决方案，可理想用于一系列车载应用，而且与传统电路相比总成本也要低得多。

Clark Chou进一步称，对于连接功能，汽车业的 OEM 需要采用全系统的方式来实现，因为他们将会把各种新功能与新特点集成到车辆当中。

为了满足这一需求，Molex 和 Excelfore 在一项全球战略协作中共同开发出了全套的车辆端对端连接解决方案，具有 FOTA/SOTA、Wi-Fi、以太网、OTA 以及边缘传感器的 eCAM 功能。

TE的传感器则包括位置、速度和温度（座舱和引擎进气口）、压力（高压制动和汽车尿素），以及温度的测量。TE汽车事业部的项目经理进一步举例称，比如TE可以提供一系列高效节能的湿度传感器，适用于设备性能受温差影响较大的场合，从而提高设备的安全性能。

流体性传感器不仅可以对引擎、燃油系统、催化还原系统、压缩机、变速器、传动箱、柴油机排放液的流体进行实时监控，也可以对DEF（尿素浓度）等其他应用进行监控。高性能尿素质量传感器同时也是尿素浓度传感器，是氮氧化合物控制系统以及合规性战略的一部分。

值得注意的是，从 2017 年起，汽车行业将需要采用多种高速介质协议来实现车辆的网络互连。典型应用包括车载信息娱乐系统、远程通信设备、无线电以及导航系统。

此外，对于高级驾驶者辅助摄像头的需求也在不断上升，以便用于行人预警、夜视或盲点探测，以及 360 度视觉系统与后视系统。

Clark Chou表示，对于这些应用，Molex 推出了下一代的 HSAutoLink II™ 互连系统。这是一种高性价比的连接器系统，可以提供超出 2.0 Gbps 的速率，并且能够支持各种不同的通信网络或通信协议。

据介绍，HSAutoLink II 是一个灵活并且可扩展的产品族，可以组合起各种链路，或者在同一连接器中支持多种协议，包括 USB 2.0、USB 3.0、LVDS、以太网 AVB（音视频桥接）以及改进的 HDMI、DVI 和 DisplayPort，使数据速率高达 5.0 Gbps。

使用了屏蔽双绞线 (STP) 或护套式非屏蔽双绞线 (JUTP) 布线后，可以提供一系列高性价比的解决方案选项，适合高速的差分信号应用。

Nucleo-F413ZH 工程版测评(上)

ST的STM32产品线更新很快，旧的还没玩热，新的就出来了。得益于STM32系列封装的引脚兼容性，Nucleo系列的板子不用大改，就可以搭配新产品发布。F413作为目前F4系列当中片上SRAM容量最高的型号，我比较感兴趣；虽然接触过的Nucleo板子已经有4款了，Nucleo-144 还没有玩过，这次论坛有活动，就申请了一个来玩玩。

和 Nucleo-64 板子摆在一起，差别很容易看出来：

因为144pin的封装尺寸更大，以及为了引出更多的I/O口，PCB宽度没变但加长了。芯片两侧的"ST Zio"连接，正面是双排孔，背面是双排针，用来连接扩展板；若和Nucleo-64的排座对齐，重叠部分是兼容的（下面扩出来一些，内侧再多一排）。包装里面附带的硬纸上也把这个连接口的定义以及MCU Pin对应附上了，方便随手查阅(不然得翻手册)。

光靠着个Zio连接还是不足以把所有I/O都引出来，于是板子外侧还有两排"ST morpho headers"。不过这些焊盘全是空着的，不像Nucleo-64那样已焊上了插针。值得提一下的是，在PCB背面，此处每个焊盘位置旁边都丝印标出了pin的定义，这样实验的时候查起来方便多了。ST手册上说，MCU的每个I/O引脚都能在morpho headers里面找到。

对比Nucleo-64主要还有其它的差异：

(1)板载 USB OTG FS 接口(micro-USB)，可以直接做USB开发实验了。弥补了Nucleo-64需要做扩展卡的缺憾。

(2)User LED从1个变为3个。

(3)电源选择除了U5V, E5V外增加了VIN (7V~12V, 板载LDO)。

(4)以太网支持，不过因为F413并不包含MII，这部分相关元件没有焊。

STM32F413ZH, 这个开发板上的MCU是ES版本(Engineering Sample, 工程样品)。反正是评测嘛，样品就样品

. 简要特性可以从ST网站上的这张图看出了：

片上设备基本上和F412一样，明显是增大了Flash ROM和SRAM容量。最高频率和F410, F411都是同样的100MHz. F4内核没什么多说的，了解一款MCU要看看系统结构图：

注意 320kB 的SRAM是怎么组成的：256kB的SRAM1，和64kB的SRAM2. 程序可以在Flash、SRAM1和SRAM2中执行。我不肯定在FSMC上挂的外部ROM/RAM中能否执行程序。

软件开发环境：我依旧是用"原始"的GCC-ARM，直接访问寄存器的。为了玩F413需要获得: (1)寄存器定义的头文件, (2)启动代码，包含中断向量表定义, (3)GNU LD的Linker script. 这些文件可以从ST网站上下载最新版本的 STM32CubeF4 开发包, 或者 STM32F4 DSP and standard peripherals library 来获取。烧写程序使用 ST-Link Utility 的命令行工具比较方便，比我以前用STVP快。

周末写点程序来测试。点灯就不在话下了，先跑个无聊的计算程序吧

这个子程序计算 sin(x)*sin(x)+cos(x)*cos(x) 的值，理论上应该总是等于1, 实际上会有一点误差。对一定数量的输入数据进行计算，把误差累计然后返回。给主程序的数据交互是32-bit整型，计算则转换成float (单精度)型进行。STM32F413 SRAM大，我以为可以随便折腾，一开始是调用CMSIS的数学函数库来计算，Link的时候发现它要把巨大的常数表放到程序里。FLASH可以装下，RAM就吃不消了(因为我要把程序也放到RAM运行，进行对比)，所以暂时弃之，只用GCC自带的数学库了。

主程序里面循环处理，每次随机生成16384个整型数（使用RNG随机数发生器），调用 test() 进行计算，并使用Timer5测计算过程消耗的时钟周期数。因为RNG需要使用比较快的时钟，我就配置了PLL，给它40MHz时钟。CPU时钟使用25MHz，AHB, APB也是用25MHz没分频。结果出乎我意料，25MHz下，16384个数的“无聊”计算消耗了大约13秒钟！我故意没有使用Cortex-M4F的浮点处理器，用默认的软件计算浮点方式，而且没有优化(里面隐含了许多double, float类型转换)，但也没想到这么慢。可惜身边已经没有486计算机了，不然我要拿Turbo C 2.0写同样的程序算算对比下。

计算的结果，我用Matlab进行了同样的运算测试，和MCU输出的结果一致，精度符合预期。也就是单精度浮点表示的 sin(x)*sin(x)+cos(x)*cos(x) 与1的误差在 1.5e-8 左右。初步认为GCC的这个软件浮点库还是靠谱的。

如手册中这一个图，Cortex-M4 核有三条AHB-Lite总线：I-bus, D-bus, S-bus. 经过Bus Matrix, I-bus 和 D-bus 都连到Flash模块。Flash和SRAM不同的是，它有两个总线接口。也就意味着，CPU核心可以同时从Flash读取指令和数据。虽然AHB总线宽度是32-bit, 但是STM32F4 Flash存储的内部总线是128-bit的，因此在同频率下有更大的读取能力，通过预读取减少等待。实际效果如何待我测试一番。

就用这个无聊的计算程序来测，CPU频率我分别通过PLL配置调整到25MHz, 50MHz, 和100MHz。在50MHz下，Flash必须插入一个等待周期才能访问；而100MHz需要三个等待周期(在FLASH_ACR寄存器中设置). 毫无疑问，Flash等待周期加入后，程序是会变慢一点的，尽管频率提高了执行是更快，从计算消耗的周期上可以看出来。

时钟不开启加速打开PrefetchPrefetch, 使用Cache25MHz (0 wait)29282209429292239950MHz (1 wait)313416305310388296297956680100MHz (3 wait)368267330345938261308417992

ST的Flash模块是有加速器功能的，它有Prefetch，就是预读取；还有D-cache和I-cache缓存，弥补Flash本身的等待。在25MHz也就是Flash没有等待周期的时候，Prefetch和Cache的效果并不明显。但到50MHz时，效果就显示出来了。100MHz时，效果更明显，最大获得近20%的性能提升。通过加速器的确减少了Flash等待周期带来的影响，接近0 wait state的执行效率。

那么和没有等待周期的SRAM比如何？如果简单地把程序代码装到SRAM1或者SRAM2中(0x20000000以上)运行，我发现甚至比Flash wait state=3, 不开启加速器的执行还要慢。为什么呢？因为SRAM只有一条总线接口，数据和指令公用了。Cortex-M4在运行的时候，需要从Flash或SRAM中读指令执行，也需要从Flash或SRAM中读取常数，还要从SRAM中读写变量、堆栈。当通道只有一条的时候，指令和数据就需要错开来访问。如果是Cortex-M0，因为它只有一条总线，用Flash还是用SRAM放程序运行没有差别；但对Cortex-M4就不同，前面已经提过了。Flash因为有两个总线接口，可以把指令和常数分开走，而SRAM中的变量又可以走S-bus，所以效率就高一些。用SRAM放程序又放数据，就容易堵车了。

不过呢，STM32F413比它前面几个弟兄要强一点，它有两块SRAM: 256kB的SRAM1, 64kB的SRAM2. 用一块SRAM放指令，另一块SRAM放数据，是否可以减少堵车呢？手册上是这么提了：

关键点：一定要在Remap的条件下，才可以用I-bus和D-bus来访问SRAM.

我的测试结果：

Flash 开启加速 SRAM默认 SRAM Remap 25MHz292922399 33782088229255252650MHz297956680 337788972292580180100MHz308417992 337738861292581401

终于，使用两块SRAM分别放程序和数据，SRAM中运行速度超过了Flash一点点。通过这个实验，我也更体会到总线的重要性。

在SRAM中运行程序通常是不必要的，但某些情况下的确能带来好处。还是上面的程序，测量一下计算时消耗的电流——把JP5跳线冒拔下，用电流表接入就可以了——结果我没有事先料到。

Flash运行,加速器开 SRAM运行, Flash PwrDown 25MHz8.20mA5.40mA50MHz13.94mA9.58mA100MHz24.86mA17.91mA

使用HSI 16MHz作为PLL输入时钟，PLL VCO频率200MHz，分频输出作为系统时钟。三个频率下APB时钟分别为25MHz, 25MHz, 50MHz (因为Timer5用到的APB1最高就50MHz了)。在SRAM中运行程序时，我将Flash设为Deep Power Down模式，这样减少了电流消耗，竟然相当明显。

看下ST手册里面的数据，对照参考，我的测量处于正常范围内。

因为除了Core本身，还有片上其它硬件在消耗电流，所以影响总电流的因素很多。随频率变化的趋势是一致的。Flash部分加速器的配置也会影响电流。而且我测试出来好象不开加速器消耗的电流会更多

从手册里的数据表看，开加速器但不用Prefetch是比较省电流的，不过我没这样做测试。

测试Sleep模式电流，使用 WFI 指令来休眠，Timer中断唤醒。我只测试了SRAM运行模式下的(Flash Power Down了)：

Freq25MHz 50MHz 100MHz SLEEP 电流2.01mA 3.10mA 5.29mA

因为我是评测，还有降低Sleep模式电流的方法就不弄了。对比运行状态看个大概。

Stop模式可以降更多的电流，但片上设备基本上都不能干活了。进入Stop模式需要写 System Control Block中的SCR寄存器DEEPSLEEP位：

SCB->SCR|=1<<SCB_SCR_SLEEPDEEP_Pos;

再使用 WFI 指令，电流就大大下降，我测到 185uA 了。这还是不够低，配置 PWR_CR 寄存器中 FPDS 位，将Flash设为Deep power down后，电流降一点，到 162uA了。再设 LPDS 位，使用Low Power的稳压器，降到 93uA.

但是手册上的电流在这个条件下典型应该是 19.7uA, 还差那么多呢？我怀疑问题出在 I/O 引脚上。STM32未用的引脚得给一个固定的电平，否则可能额外消耗电流。我把没使用的引脚都设成输入并加了上拉，可能和板子上的连接有不搭配的地方。对照电路图查了一遍，发现有外部下拉电阻的，都改后Stop模式电流降低到了 36.6uA.

还是差那么点。后来我找到原因是 PH0 这个口(Ext时钟输入)连到 ST-Link上的 MCO，也就是从 ST-Link 供给了 8MHz 的时钟。于是这个pin始终是被一个时钟驱动的…… 因为板子不是自己的，我就不拿烙铁焊掉那个０欧电阻去验证我的想法了。

Standby 模式，连稳压器都关掉，SRAM内容丢失……　我测到电流是 2.2uA. 尽管够低了，这个模式实在用处不大了哈